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CMP Slurry中的研磨粒聚集理论

用于晶圆抛光的一些 CMP Slurry在处理过程中可能会质量改变。这个质量改变导致颗粒聚集,在晶圆抛光过程中可能导致缺陷。此测试是研究的一部分,用以确定slurry质量改变是剪切力所造成的结果,通常认为或是空蚀现象。数据表明,空蚀现象在Slurry颗粒聚集中可能比剪切力扮演更大的作用,Slurry处理设备设计应侧重于消除空蚀现象,而不是控制剪切力而已。

Author Marc R. Litchy et. al.
Company CT Associates, Inc. et. al.
Pages 8